Исследовательская группа из Университета Фудань достигла прорывного результата в области энергонезависимой памяти, создав устройство под названием «PoX», способное записывать данные со скоростью, ранее доступной только для энергозависимых типов памяти. В своей публикации авторы демонстрируют, что разработанная ими флэш-память может программировать один бит за 400 пикосекунд, что соответствует скорости 25 миллиардов операций в секунду. Это достижение преодолевает существующие ограничения скорости энергонезависимой памяти и открывает новые возможности для систем искусственного интеллекта, требующих обработки значительных объемов данных.
Традиционные типы оперативной памяти (SRAM и DRAM) обладают высокой скоростью записи, но теряют данные при отключении питания. Флэш-память сохраняет данные без электропитания, но ее скорость записи существенно ниже, что ограничивает ее применение в современных ускорителях ИИ. Команда исследователей из Китая реализовала инновационный подход, заменив кремниевые каналы в флэш-памяти двумерным графеном Дирака и используя баллистический перенос заряда. Это позволило им достичь «двумерной суперинжекции», которая обеспечивает практически неограниченный приток заряда в слой памяти, преодолевая традиционное узкое место инжекции.
Разработка «PoX» имеет потенциал для революционизирования аппаратного обеспечения ИИ, поскольку она сочетает в себе сверхнизкое энергопотребление и высокую скорость записи. Это может решить проблему ограниченной емкости памяти в системах ИИ, где передача данных становится основным фактором энергопотребления. Кроме того, «PoX» может найти применение в периферийных системах ИИ и устройствах с ограниченным питанием от аккумулятора, поскольку она сохраняет данные без потребления энергии в режиме ожидания.
А занятия спортом обеспечивают хорошую память.