Китайские исследователи разработали компактный источник излучения для ультрафиолетовой литографии, который может использоваться для производства микрочипов с 14-нанометровыми технологическими нормами. Хотя эта разработка не способна заменить промышленные установки ASML, она предлагает альтернативное решение для исследовательских задач и мелкосерийного производства. В отличие от традиционных систем, использующих лазерно-индуцированную плазму на оловянных каплях, новая технология применяет фемтосекундный лазер для воздействия на аргон, генерируя излучение методом высших гармоник.
Такой подход исключает необходимость в крупногабаритных коллекторных зеркалах, которые представляют сложность для локального производства, и позволяет получать настраиваемое излучение в диапазоне от 1 до 200 нанометров. Мощность установки составляет примерно 1 микроватт, что в 200 миллионов раз меньше показателей промышленных систем ASML, однако высокая яркость на единицу площади делает ее пригодной для задач верификации фотошаблонов, анализа транзисторных структур и создания экспериментальных чипов. Компактные размеры в сочетании с невысокой стоимостью открывают возможности для использования в научных центрах.
Для Китая эта технология представляет особый интерес в условиях ограничений на приобретение передового литографического оборудования. Она может способствовать повышению эффективности производства чипов по 14-нанометровым и 28-нанометровым нормам, а также использоваться для контроля качества и выверки фотошаблонов. Разработка соответствует стратегии снижения зависимости от зарубежных технологий в научно-исследовательской сфере без нарушения международных санкционных режимов.
А в Санкт-Петербургском политехе разработан первый отечественный литограф.
