Физики из университета Ланкастера продемонстрировали своё изобретение. Новый тип «универсальной памяти» способен преобразовать работу компьютеров, смартфонов и других гаджетов. Универсальная память представляет собой хранилище данных, где их можно легко менять. До настоящего времени это считалось невозможным.
Сейчас существуют два основных вида памяти, динамическая (DRAM) и флеш. У них есть собственные характеристики и роли. DRAM является быстрой памятью, но при этом она волатильная и информация теряется при отключении питания. Флеш-память неволатильная, она позволяет сохранять данные на постоянной основе, но она более медленная.
В январе этого года, в специализированном журнале, опубликована статья, где рассказано, как отдельные ячейки памяти могут связываться в массивы для создания RAM. Предсказывается, что подобные чипы памяти по скорости будут на уровне DRAM, но при этом в 100 раз эффективнее и такая память не будет волатильной.
Её назвали ULTRARAM и она может представлять собой так называемую универсальную память, где сочетаются преимущества флеш-памяти и DRAM, при этом отсутствуют их недостатки.
Ведущие исследователи утверждают, что данная работа является значительным шагом вперед и показывает технологию реализации памяти ULTRARAM. Физики разрешили парадокс универсальной памяти, используя эффект квантовой механики под названием резонансное туннелирование. Барьер может переключаться между прозрачным и непрозрачным состояниями при приложении небольшого напряжения.
В работе описываются сложные симуляции этого процессора и предлагается механизм считывания ячеек памяти, который улучшит контраст между логическими состояниями на много порядков. Это позволит объединить ячейки в большие массивы. Резкий переход барьера резонансного туннелирования между прозрачностью и непрозрачностью обеспечивает компактную архитектуру с высокой плотностью хранения данных.
Теперь остаётся наладить производство подобных чипов памяти, на что может уйти немало времени.