В Китае вот-вот пройдет презентация смартфонов Realme X и Realme X Lite. Она запланирована на 15 мая и ее ждут не только жители Поднебесной, но и других стран мира. Как правило, после выхода на китайском рынке, смартфоны-новинки отправляются на другие рынки, получив глобальную прошивку.
Итак, что же известно о них на сегодняшний день? Информации до недавнего времени был самый мизер, но буквально недавно она появилась на сайте китайского ведомства, занимающегося сертификацией новой техники. Если верить ему, то смартфоны должны получиться интересными для широкой аудитории.
Телефон Realme X получит габариты 161,2х76х9,4 при довольно солидном весе в 191 грамм. Он будет оснащаться AMOLED-дисплеем с разрешением 2340х1080 точек, а сканер отпечатков пальцев разместится под ним. Судя по всему, автономность устройства будет на высоком уровне – смартфон получит батарею емкостью 3680 мА*ч.
Работоспособность устройства будет обеспечена быстрым производительным чипом на восьми вычислительных ядрах и рабочей частотой в 2.2 гГц. В устройстве будет применен модуль ОЗУ на 4 Гб и накопитель емкостью 64 Гб. Фотографические возможности трубки будут представлены селфи-камерой с выдвижным механизмом и основной двойной камерой (48 Мп + 5 Мп), где в качестве основного будет применен объектив Sony IMX586. Пользователи смогут выбрать из двух цветов – синего и белого.
Как и следует ожидать, смартфон Realme X Lite окажется более простым по своему наполнению, но для части пользователей может оказаться оптимальным, благодаря хорошему качеству и, вполне вероятно, невысокой цены.
Лицо телефона, дисплей представлен IPS-матрицей с разрешением 2340х1080 точек/дюйм и диагональю 6.3 дюйма. В качестве основы применен так же 8-ми ядерный чип с частотой такта 2.2 гГц. Устройство получит две конфигурации памяти – 4/64 и 6/128 Гб. Телефон порадует крутой камерой для селфи – применен датчик на 25 Мп, а основная камера так же, как в старшей модели, имеет два модуля, но их разрешение 16 и 5 Мп. Сканер отпечатка размещен на задней панели, а емкость батареи равна 3960 мА*ч.