Если начать вникать в схемотехнику современных электронных гаджетов, то может оказаться, что все они собраны на одних и тех же принципиальных элементах – транзисторах. Эти электронные приборы были изобретены в середине прошлого века и сейчас используются в практически неизменном виде. Основой транзисторов являются n-p-n и p-n-p переходы, а все они используют в своей конструкции такие материалы, как германий, кремний, арсенид галлия. Вообще, транзисторы обусловили резкое снижение потребления энергии и прирост производительности по сравнении с лампами. Но сейчас требуется что-то еще более энергоэффективное.
Американские исследователи, представляющие два крупных научных центра, Университет Буффало и Университет Небраски, предложили принципиально новую технологию изготовления транзисторов. Ее особенность в том, что она предполагает отступление от уже устоявшихся принципов. Магнитоэлектрические транзисторы Кеке Хе и Джонатана П. Берда могут положить начало новому направлению электроники. Эти приборы используют в своей основе графен. Его слой толщиной всего в несколько атомов размещают на подложке из оксида хрома. Это позволяет получить переход, сопротивлением которого можно гибко управлять. Кроме того, полярность перехода можно переключать в зависимости от необходимости.
Использование таких магнитоэлектрических управляемых транзисторов позволит существенно снизить потребление энергии. Кроме того, можно добиться и значительного уменьшения габаритных размеров микросхем за счет того, что одни и те же переходы с изменяемой полярностью можно будет использовать для создания различных цепей в пределах одной схемы. Авторы технологии располагают сведениями, допускающими уменьшение числа транзисторов в схемах на 75%. Если технология начнет развиваться, стоит ожидать ее использования в цифровой электронике. В частности, микросхемы с магнитоэлектрическими транзисторами могут быть использованы в гаджетах.
