Компания Samsung объявила о разработке первых на рынке 8 — гигабитных чипов памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4), которые представляют собой эволюционное развитие памяти LPDDR Mobile DRAM с небольшим энергопотреблением. Новые изделия предназначены для использования в различных портативных устройствах, в частности в высокопроизводительных смартфонах и планшетных компьютерах.
Samsung подчеркивает, что 8 — гигабитные чипы LPDDR4 обеспечивают самые высокие в отрасли показатели плотности хранения информации, энергетической эффективности и скорости передачи данных. Так, по сравнению с наиболее быстродействующими на сегодня решениями LPDDR3 и DDR3 пропускная способность подросла на 50 %. В то же время при напряжении питания в 1,1 В расход энергии уменьшилась на 40 %, что означает увеличенное время автономной работы гаджетов от аккумуляторной батареи.
Чипы LPDDR4 изготавливаются по технологии «20 — нанометрового класса». На деле это означает производственные нормы от 20 до 30 нанометров. Микросхемы используют интерфейс LVSTL ( Low Voltage Swing Terminated Logic ) заявленная скорость передачи информации достигает 3200 Мбит / сек на вывод, что вдвое больше, чем в памяти предыдущего поколения.
Объединяя четыре 8 — гигабитных чипа LPDDR4, можно создавать модули оперативной памяти емкостью 4 Гб. Для сравнения: современные смартфоны и планшеты класса high — end, такие как Samsung Galaxy Note 3, несут на борту не более 3 Гб ОЗУ.
Samsung подчеркивает, что увеличение объема оперативной памяти позволит улучшить отклик мобильных устройств на действия пользователей, реализовать новые функции управления, поддержку дисплеев ультравысокого разрешения и прочее.
Скорее всего, первые гаджеты, оборудованые 4 Гб ОЗУ, появятся в 2014 — том году. Не исключено, что такие устройства будут демонстрироваться на выставке электроники CES 2014, которая пройдет с 7 по 10 января в Лас — Вегасе (Невада, США).
