IBM и Samsung на пороге технологического прорыва в создании чипов
Мир технологий не стоит на месте. Крупные компании, разрабатывающие мобильную электронику и компоненты для нее, уже не раз совершали открытия, которые делали электронику мощнее и энерго эффективней. В мае текущего года исследователи Массачусетского технологического института и Национального Тайваньского университета в тесном сотрудничестве с компанией TSMC из Тайваня предложили технологию создания 1-нанометровых чипов. Она подразумевает использование полуметаллического висмута. В перспективе это позволит создавать чипы с техроцессом менее 1 нм.
В то же время две крупные компании IBM и Samsung, занимающие лидирующее положение на рынке, объявили о своем прорыве, представив инновационные полевые транзисторы с вертикальным переносом. Их главным отличием является то, что транзисторы расположены вертикально. Таким образом, уменьшается расстояние между ними и длина связей. Такой подход позволяет получать или большую производительность, или уменьшить потребление энергии. Прирост производительности составляет не менее чем в 2 раз, а энергоэффективность может вырасти на 85%. Важно заменить, что одновременно может быть достигнуто только первое или только второе.
Этот прорыв интересен и с чисто научной точки зрения. Подобные чипы могут «отодвинуть» закон Мура.
«Количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 24 месяца»
Однако, в этом направлении работают и другие компании. В частности, определенные наработки есть у Intel. Но что может принести эта новация в жизнь простых пользователей? Оказывается, немало. Прежде всего, чипы с техпроцессом 1 нм и менее могут сделать технику более компактной без потери производительности. С другой стороны, появление смартфонов, способных работать на одном заряде несколько дней, тоже могло бы «перевернуть мир». Это, по словам экспертов, перестает быть фантастикой, если на рынке появятся доступные 1 нм процессоры.
