Новый китайский «чип без кремния» заткнул за пояс микросхемы TSMC и Intel
Группа исследователей из Пекинского университета объявила об открытии, которое может существенно изменить ситуацию в сфере производства микросхем. Согласно заявлению ученых, разработанный ими двумерный транзистор на 40% быстрее и на 10% лучше в плане энергоэффективности, чем самые современные кремниевые чипы, выпускаемые Intel и TSMC, ведущими компаниями в отрасли микроэлектроники.
Команда под руководством профессора Пэн Хайлиня утверждают, что их инновация представляет собой фундаментальный сдвиг в технологии производства полупроводников. Вместо использования традиционных кремниевых материалов, они создали транзистор на основе висмута, который не ограничен теми же проблемами миниатюризации и энергопотребления, что и кремний.
По словам Пэна, санкции США, ограничивающие доступ Китая к передовым кремниевым чипам, стали катализатором поиска альтернативных решений. Новая структура транзистора GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) с использованием двумерных материалов позволяет увеличить площадь контакта между затвором и каналом, что повышает эффективность передачи тока.
Исследователи подтвердили свои результаты с помощью теоретических расчетов, которые показали, что новая структура минимизирует потери энергии и повышает вычислительную мощность. В настоящее время команда PKU работает над масштабированием производства и созданием более сложных логических устройств на основе этой технологии.
Висмут открывает новые горизонты в микроэлектронике благодаря своим уникальным свойствам: низкой токсичности по сравнению с традиционными свинцово-содержащими припоями, более низкой температуре плавления и превосходной электропроводности. Современные исследования показывают возможность разработки нового поколения высокочувствительных датчиков и наноэлектронных устройств.
Тем временем появился оптический чип, работающий с тактовой частотой 100 ГГц.
