Технология российских ученых обеспечит прорыв в микроэлектронике
Отрасль микроэлектроники в России развивалась не столь успешно, как бы этого хотелось. Самой главной проблемой стало то, что не уделялось должного внимания ни исследованиям, ни промышленному производству. Однако, благодаря технологии, созданной российскими учеными, на этом важнейшем направлении может быть совершен значительный прорыв. Его предпосылкой является то, что современная кремниевая микроэлектроника уже не имеет значительных перспектив для своего развития.
Кремний, как основной материал для проектирования электронных приборов, уже исчерпал свои возможности. Необходимы новые, более функциональные материалы. Сложность их получения заключается и в том, что пока нет отработанных технологических процессов. Ученым двух отечественных научных центров, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и Института неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, было найдено решение, способное интегрировать синтез VO₂ (диоксида ванадия) в уже существующую кремниевую технологию.
Этот подход становится важным на фоне понимания того, что уже в среднесрочной перспективе в отрасли будет господствовать фотоника. У России появилась технология управляемого синтеза нанокристаллов VO₂ высокого качества. Диоксид ванадия интересен тем, что может неограниченное число раз переходить из состояния полупроводника в состояние металла. Это позволяет ожидать поколения электронной техники с совершенно новыми и высокими характеристиками. Использование нового материала поднимет тактовую частоту процессоров, одновременно сократив потребление энергии.
Ученые говорят о том, что за счет этой технологии приборы, используемые в микроэлектронике, станут и более дешевыми. А тот факт, что синтез диоксида ванадия интегрирован в кремниевые процессы, позволит сравнительно недорого и просто внедрить его в промышленных масштабах. Россия, имея такой козырь на руках, получает радужные перспективы развития не только отрасли микроэлектроники, но и сопутствующих ей направлений разработки и производства.
