Специалисты из Токио совершили прорыв в микроэлектронике, разработав принципиально новые транзисторы на основе оксида индия с добавлением некоторого количества галлия. Это открытие может положить конец эре кремниевых транзисторов, приближающихся к пределу своих возможностей миниатюризации. Транзисторы – фундаментальные элементы современной электроники, присутствующие во всех устройствах. Однако кремниевые технологии, позволившие когда-то уменьшить компьютеры до размеров ладони, сегодня сталкиваются с физическими ограничениями. Японские исследователи предложили высокотехнологичное решение этой проблемы.
Ключевым нововведением стала уникальная архитектура «затвор вокруг», обеспечивающая лучший контроль над током. Для создания нового материала разработчики воспользовались методом атомно-слоевого осаждения, нанося тонкие пленки оксида индия, предварительно легированного галлием (InGaOx), с последующей кристаллизацией. Добавление галлия позволило устранить дефекты структуры, характерные для чистого оксида индия, значительно повысив стабильность устройств. Результаты впечатляют: разработанные MOSFET-транзисторы демонстрируют подвижность электронов на рекордном уровне в 44,5 см²/В и сохраняют стабильную работу под нагрузкой в течение трёх часов.
Исследование показывает, что глобальное будущее отрасли микроэлектроники лежит за пределами кремния. Новые транзисторы открывают перспективы для создания сверхкомпактных и энергоэффективных устройств следующего поколения, особенно востребованных в сферах искусственного интеллекта и обработки больших данных. Учёные доказали, что инновационные материалы могут стать основой для широкого спектра электронных компонентов, способных совершить рывок в технологиях.
Тем временем российский «Ангстрем» создает «космические» транзисторы.
